RRAM阻變式存儲器測試儀
(RRAM or ReRAM Test Systems)

本設(shè)備是世界*的阻變式存儲器 （ReRAM/RRAM，Resistive Random Access Memory）測試系統(tǒng)。

應(yīng)用領(lǐng)域主要有：
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結(jié)
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應(yīng)存儲器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結(jié)
Electronic Effect Memory (EEM) 電子效應(yīng)存儲器
Thermo-Chemical Memory (TCM) 熱化存儲器
Valence Change Memory (VCM) 價變存儲器
Phase Change Memory (PCM) 相變存儲器
Nano Electro-Mechanical Memory (NEMM) 納米機電存儲器
Molecular Electronic Switch 分子電子開關(guān)

電阻開關(guān)測試系統(tǒng)Resistive Switching Test Systems RS系列儀器是aixACCT公司*產(chǎn)品，用于電阻特性隨機存儲器（RRAM）和電阻開關(guān)（RS）的研究測試。
RS系列儀器能夠提供相當(dāng)廣的范圍的測試解決方案，范圍涵蓋從納米尺度的表征到超高速器件的測試，從獨立的研發(fā)級的桌上型測試系統(tǒng)到半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

研究及工業(yè)級系統(tǒng) Research and Industry Tools
模塊化的設(shè)計理念，使得aixACCT產(chǎn)品可以在任何時候從基本的材料表征工具升級其他的選件配置。這提供了最大的靈活性，可以使您的測試系統(tǒng)達(dá)到針對您的材料或器件發(fā)展的任何階段的特定要求。

RRAM測試系統(tǒng)可以很容易的和其他設(shè)備或通用軟件聯(lián)用，如：
從1英寸到8英寸晶圓的熱臺；
用于樣品平行測試的Switchbox系統(tǒng)
用于晶圓掃描信息的自動晶圓探針臺
自動性能測試序列的遠(yuǎn)程控制
脈沖發(fā)生器、數(shù)字采樣示波器

aixACCT公司開發(fā)出了一種通用的RS模塊用于電阻開關(guān)存儲器的測試。系統(tǒng)基于TF Analyzer 2000系統(tǒng)，聯(lián)用RS模塊和特定的電流監(jiān)視放大器，可以滿足RRAM的表征。 系統(tǒng)配置了高精度電壓和電流源以及高級電壓、電流監(jiān)視放大器。aixACCT的超快電流和電壓適應(yīng)性保證了每次電阻開關(guān)系統(tǒng)測試的高精度和可靠性測量。

該測試系統(tǒng)*兼容aixACCT的測試軟件和選配軟件工具，可以提供可靠性測試和數(shù)據(jù)分析及交換。

應(yīng)用：
單極及雙極偏壓的I-V表征；
電壓驅(qū)動的電流響應(yīng)測試及電流驅(qū)動的電壓響應(yīng)測試；
可靠性和疲勞測試；
可編程編成程序；
可靠性和耐久性測試

優(yōu)點：
一站式單極偏壓和雙極偏壓電阻開關(guān)材料的綜合評價（TCM,ECM和VCM系統(tǒng)）；
超快響應(yīng)系統(tǒng)（設(shè)置時間<100ns）；
調(diào)停過程電流電壓響應(yīng)的真實電流電壓值的記錄系統(tǒng)；
可實現(xiàn)遠(yuǎn)程訪問和腳本控制；
可選的數(shù)據(jù)庫連接（ODBC）方便確定材料/器件特征；
升級服務(wù)；客戶支持